В реальных кристаллических телах нет идеально правильного расположения атомов или молекул.В них наблюдается отклонение от строгой упорядоченности решетки- дефекты решетки.
Дефекты КР:
1) Энергетические: связаны с увеличением энергии и колебанием атома вокруг состояния равновесия .
2) Геометрические: связаны с локальным искажением КР.
Геометрические дефекты:
-нульмерные (точечные) .
-одномерные (линейные) .
-двумерные (поверхностные) .
-трехмерные (объемные).
1.Точечные дефекты:
Малая протяженность размером в несколько атомных диаметров . под влиянием внешних воздействий колебания увеличиваются, и атом может покинуть узел, образовав вакансию- отсутствие атома в некоторых узлах (1), при этом атом может сместиться в междоузлие в другой части кристалла — атом внедрения (2) . вокруг (1) и (2) решетка деформируется.
Атом внедрения и образовавшиеся при этом вакансии — деф. по Френселю .
Являются подвижными и могут перемещаться по кристаллу: место вакансии может занять атом из соседнего узла, а вакансия сместится на его место . появившиеся вакансии необязательно связаны со смещением атома в междоузлие, могут появляться при испарении атома с поверхности, постепенно проникнуть вглубь кристалла, при этом ей не будет соответствовать атом внедрения- дефект по Шоттки.
|
|
Представленная информация была полезной? ДА 58.72% НЕТ 41.28% Проголосовало: 1066 |
При наличии примесных атомов они могут занимать места вакансий №3 (атом внедрения), либо располагаться в узлах решетки (№4-атом замещения).
2.Линейные дефекты:
Относятся дислокации — нарушение структуры, охватывающее большое количество атомов и приводящие к сдвигу атомных плоскостей . дислокации бывают краевые и винтовые.
Краевая дислокация связана с появлением лишней незаконченной плоскости – экстраплоскостью, происходит неполный сдвиг решетки . искажение происходит вдоль линии обрыва- линии дислокации. 1-ядро дислокации
Винтовая: происходит полный сдвиг общего участка решетки, дислокация также может перемещаться по кристаллу, присоединяя к плоскости атомы решетки, либо отдавая атомы в вакансии.
3. Поверхностные дефекты:
Ограничивают поверхность кристалла с одной стороны . поверхностные атомы не окружены со всех сторон другими атомами.Симметрия связи нарушается свойства изменяются . количество зависит от кристаллографической ориентации свойства будут отличаться.
4.Объемные дефекты: поры, трещины, пустоты, предельным случаем дислокации является поликристалл, состоящий из множества монокр. зерен с разной ориентацией .
в поликристалле отсутствует молекулярность структуры.
