Эпитаксиальные (планарные, эпитаксиально — планарные диффузионные диоды) изготавливаются методом эпитаксии и локальной диффузии.
Эпитаксией называется процесс наращивания монокристаллических слоев на подложку, выполняющую роль несущей конструкции структуры с сохранением ориентации кристаллов подложки.
Эпитаксия позволяет выращивать слои любого типа проводимости, требуемого удельного сопротивления и любой толщины (до нескольких микрометров).
Локальной диффузией называется создание p-n перехода путем диффузии примесных атомов в эпитаксиальный слой через окно в маске (например, из оксида кремния)
Рис. 6.4 Эпитаксиально -планарный диод, p-n переход -1
Последовательность изготовления: базу изготовляют путем наращивания на подложке (4) с повышенной проводимостью эпитаксиального n-слоя (3) с пониженной проводимостью, окисление (2) — создание оксидного слоя Si02, формирование окна в оксидном слое двуокиси кремния Si02 путем травления пленки окисла, затем производят диффузию донорной примеси (бора или алюминия) в эпитаксиальный слой через окно, создается р-n переход (1).
|
|
|
Производится металлизация площадок на n+ и p+ для выводов.
Производится формирование выводов и монтаж в корпус.
Планарные диффузионные диоды характеризуются высокой надежностью, стабильностью параметров и большим сроком службы.
Плоскостные диоды имеют большие площади перехода, вследствие чего им присущи большие емкости и большие рабочие токи (до сотен и даже тысячи ампер). Используются в низкочастотных мощных электронных устройствах (силовых).
